Offre d'emploi Stage - Contribuez au développement des transistors de puissance du futur en GaN H/F

Ce stage offre une opportunité unique de développer vos compétences sur les composants de puissance en GaN et de concevoir des architectures de pointe. Vous travaillerez au sein d’une équipe pluridisciplinaire spécialisée en ingénierie des matériaux, caractérisation, simulation de dispositifs et mesures électriques, avec la possibilité d’évoluer ensuite vers une thèse de doctorat. Si vous êtes motivé(e) par l’innovation, l’élargissement de vos connaissances et la résolution de défis technologiques de pointe, ce stage constituera un atout précieux pour votre parcours professionnel. Les composants de puissance verticaux en GaN sont très prometteurs pour les applications au-delà du kilovolt et font donc l’objet d’intenses recherches à l’échelle mondiale.

Des transistors de type « trench MOSFET » ont déjà été démontrés dans l’état de l’art avec des résultats très encourageants.

L’empilement de grille (gate stack) de ces dispositifs est un élément clé, car il impacte directement la résistance à l’état passant, la tension de seuil et le signal de commande appliqué dans un convertisseur de puissance. L’étude proposée dans ce stage portera sur le développement d’empilements de grille innovants capables de supporter de hautes tensions de commande tout en conservant une tension de seuil et une mobilité de canal de haut niveau, avec un piégeage diélectrique minimal.

Le travail consistera à analyser l’influence des paramètres de fabrication sur les performances électriques, avec un accent particulier sur l’optimisation de la géométrie de la grille par simulations TCAD.

Les améliorations identifiées seront intégrées dans les dispositifs produits sur notre ligne 200 mm de composants de puissance en GaN. Profil du candidat Qu’attendons-nous de vous ? Vous préparez un diplôme de niveau bac +5. Vous disposez de solides bases en dispositifs de microélectronique et d’un fort intérêt pour la recherche technologique. Curieux(se) et motivé(e), vous aimez apprendre, communiquer et travailler en équipe. Vous êtes particulièrement intéressé(e) par les méthodologies qui allient la physique des dispositifs et la caractérisation électrique de nouvelles architectures pour l’électronique de puissance. Rejoignez-nous, venez développer vos compétences et en acquérir de nouvelles ! Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons : L'opportunité de travailler au sein d'une organisation de renommée mondiale dans le domaine de la recherche scientifique, Un environnement unique dédié à des projets ambitieux au profit des grands enjeux sociétaux actuels, Une expérience à la pointe de l’innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel, Des moyens expérimentaux exceptionnels et un encadrement de qualité, De réelles opportunités de carrière à l’issue de votre stage Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA, Une participation aux transports en commun à hauteur de 85%, Un équilibre vie privée – vie professionnelle reconnu, Un restaurant d'entreprise, Une politique diversité et inclusion, Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes handicapées, cet emploi est ouvert à toutes et à tous.

Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation pour l'inclusion des travailleurs handicapés. Localisation du poste Site Grenoble Localisation du poste France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38) Ville Grenoble Critères candidat Langues Anglais (Courant) Diplôme préparé Bac+5
- Master 2 Possibilité de poursuite en thèse Oui Demandeur Disponibilité du poste 16/02/2026